TOKIO, 22. Dezember 2015 – Die Mitsubishi Electric Corporation gab heute bekannt, dass sie ihre Produktpalette der Galliumnitrid-Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors, GaN-HEMTs) für die Verwendung in Basisübertragungsstationen (BTS) im 3,5-GHz-Band von mobilen Kommunikationssystemen der vierten Generation (4G) erweitern wird. Die vier neuen GaN-HEMTs bieten eine Ausgangsleistung und Effizienz, die gemäß Unternehmensrecherchen vom 22. Dezember zu den derzeit höchsten auf dem Markt zählen. Die Mustergeräte werden ab 1. Februar veröffentlicht.

Infolge der Bereitstellung von mobilen Long Term Evolution (LTE)- und LTE-Advanced-Netzwerken steigt der Bedarf an Basisübertragungsstationen, die ein höheres Datenvolumen, eine kompaktere Größe und einen niedrigeren Stromverbrauch bieten können. Daher hat Mitsubishi Electric die neuen GaN-HEMTs für den Einsatz in Makrozellen-Basisübertragungsstationen und in einer großen Anzahl von Mikrozellen entwickelt, die von Mobilfunkbetreibern eingesetzt werden, um die Datenkapazität Ihrer fortschrittlichen, auf LTE- und LTE-Advanced-Technologien basierenden 4G-Netzwerke zu erhöhen.

Auch in Zukunft wird Mitsubishi Electric seine GaN-HEMT-Produktpalette für den Einsatz mit verschiedenen Ausgangsleistungen und Frequenzen sowie die Verwendung in mobilen Kommunikationssystemen, die über 4G hinausgehen, weiter ausbauen.

1) Erweiterte Produktpalette

– Flanschloses Keramikgehäuse als 180-W- und 90-W-Modelle für Makrozellen-Basisübertragungsstationen
– Kunststoff-Formgehäuse als 7-W- und 5-W-Modelle für Mikrozellen-Basisübertragungsstationen

2) GaN-HEMT- und Transistor-Optimierung für hohe Effizienz

– Hohe Effizienz trägt zur Reduzierung der Größe und des Stromverbrauchs von Basisübertragungsstationen bei
– 90-W-Modell für Makrozellen-Basisübertragungsstationen bietet eine hohe Abflusseffizienz (Load-Pull) von 74 Prozent
– 7-W- und 5-W-Modelle für Mikrozellen-Basisübertragungsstationen bieten eine hohe Abflusseffizienz von 67 Prozent
– Dank der hohen Effizienz kann ein einfaches Kühlsystem verwendet werden, was wiederum kompaktere Basisübertragungsstationen mit geringerem Stromverbrauch ermöglicht

3) Kompaktere Größe

– Durch das flanschlose Keramikgehäuse kann die Größe der eigentlichen Geräte und der Leistungsverstärkermodule, in denen sie bereitgestellt werden, verringert werden