ZUR SOFORTIGEN VERÖFFENTLICHUNG Nr. 2978
Neue Produkte unterstützen Makro- und Mikrozellen-Basisübertragungsstationen
TOKIO, 22. Dezember 2015 – Die Mitsubishi Electric Corporation gab heute bekannt, dass sie ihre Produktpalette der Galliumnitrid-Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors, GaN-HEMTs) für die Verwendung in Basisübertragungsstationen (BTS) im 3,5-GHz-Band von mobilen Kommunikationssystemen der vierten Generation (4G) erweitern wird. Die vier neuen GaN-HEMTs bieten eine Ausgangsleistung und Effizienz, die gemäß Unternehmensrecherchen vom 22. Dezember zu den derzeit höchsten auf dem Markt zählen. Die Mustergeräte werden ab 1. Februar veröffentlicht.
(Von links) GAN-HEMTs MGFS53G38ET1, MGFS50G38ET1, MGFS38G38L2 und MGFS37G38L2 für den Einsatz in 3,5-GHz-Basisübertragungsstationen in der 4G-Mobilkommunikation
Infolge der Bereitstellung von mobilen Long Term Evolution (LTE)- und LTE-Advanced-Netzwerken steigt der Bedarf an Basisübertragungsstationen, die ein höheres Datenvolumen, eine kompaktere Größe und einen niedrigeren Stromverbrauch bieten können. Daher hat Mitsubishi Electric die neuen GaN-HEMTs für den Einsatz in Makrozellen-Basisübertragungsstationen und in einer großen Anzahl von Mikrozellen entwickelt, die von Mobilfunkbetreibern eingesetzt werden, um die Datenkapazität Ihrer fortschrittlichen, auf LTE- und LTE-Advanced-Technologien basierenden 4G-Netzwerke zu erhöhen.
Auch in Zukunft wird Mitsubishi Electric seine GaN-HEMT-Produktpalette für den Einsatz mit verschiedenen Ausgangsleistungen und Frequenzen sowie die Verwendung in mobilen Kommunikationssystemen, die über 4G hinausgehen, weiter ausbauen.
1) Erweiterte Produktpalette
– Flanschloses Keramikgehäuse als 180-W- und 90-W-Modelle für Makrozellen-Basisübertragungsstationen
– Kunststoff-Formgehäuse als 7-W- und 5-W-Modelle für Mikrozellen-Basisübertragungsstationen
2) GaN-HEMT- und Transistor-Optimierung für hohe Effizienz
– Hohe Effizienz trägt zur Reduzierung der Größe und des Stromverbrauchs von Basisübertragungsstationen bei
– 90-W-Modell für Makrozellen-Basisübertragungsstationen bietet eine hohe Abflusseffizienz (Load-Pull) von 74 Prozent
– 7-W- und 5-W-Modelle für Mikrozellen-Basisübertragungsstationen bieten eine hohe Abflusseffizienz von 67 Prozent
– Dank der hohen Effizienz kann ein einfaches Kühlsystem verwendet werden, was wiederum kompaktere Basisübertragungsstationen mit geringerem Stromverbrauch ermöglicht
3) Kompaktere Größe
– Durch das flanschlose Keramikgehäuse kann die Größe der eigentlichen Geräte und der Leistungsverstärkermodule, in denen sie bereitgestellt werden, verringert werden
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