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Mitsubishi Electric kündigt Produkteinführung von X-Series HVIGBT-Modul an

Marktführend im Hinblick auf Leistung und Betriebstemperaturbereich für kleinere Wechselrichtersysteme mit höherer Kapazität

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TOKIO, 29. September 2015 – Die Mitsubishi Electric Corporation gab heute die Produkteinführung eines X-Series HVIGBT-Moduls mit 6,5 kV/1.000 A bekannt. Das Modul bietet die branchenweit höchste Kapazität und Betriebstemperatur bei 150 Grad Celsius. Dank geringerer Wechselrichterverluste und eines verbesserten Betriebstemperaturbereichs eignet es sich optimal für den Einsatz in Hochspannungs-Wandlersystemen, einschließlich Traktions- und Stromanwendungen. Verkaufsstart ist am 30. November.

X-Series HVIGBT-Modul mit 6,5 kV/1.000 A

X-Series HVIGBT-Modul mit 6,5 kV/1.000 A

Hochleistungsmodule sind für Stromversorgungssysteme, die hohe Leistung, maximale Zuverlässigkeit und ausgezeichnete Effizienz erfordern, unerlässlich. Mitsubishi Electric brachte sein erstes HVIGBT-Modul 1997 auf den Markt, was zur Entwicklung kompakterer Hochspannungs-Wandlersysteme mit höherer Leistung beitrug. Um einen höheren Ausgangsstrom sowie ein zuverlässiges Design zu erzielen, hat Mitsubishi Electric nun das X-Series HVIGBT-Modul mit einem Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) und einer Relaxed Field of Cathode (RFC)-Diode der siebten Generation entwickelt.

Produktmerkmale

1)
Branchenführende Energie von 6,5 kV/1.000 A für mehr Leistung
 – Höherer Ausgangsstrom bei gleicher Größe wie die vorherigen Module
 – CSTBT*TM-Chip und RFC-Dioden-Chip reduzieren den Stromverlust im Vergleich zum bestehenden HVIGBT-Modul (CM750HG-130R) um ca. 20 Prozent und den thermischen Widerstand um 10 Prozent
*Ursprüngliche IGBT-Chip-Konstruktion von Mitsubishi Electric mit Trägerspeichereffekt

2)
Größerer Betriebstemperaturbereich für kleinere Systeme
 – Maximale Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius – eine Weltneuheit für die 6,5-kV-Klasse
 – CSTBT- und RFC-Dioden-Chip der siebten Generation sowie verbesserte Gehäusetechnologie ermöglichen kompaktere Wechselrichtersysteme mit breitem optischen Halbleiterverstärker (SOA)

3)
Kompatibles Gehäuse für vereinfachtes Design und einfacheren Austausch
 – Kürzere Entwicklungszeit dank Möglichkeit des Einsatzes eines Wechselrichtersystems
 – Profil und Anschlussklemmenanordnung kompatibel mit bestehendem HVIGBT-Modul (CM600HG-130H, CM750HG-130R)
Zeitplan für den Verkauf
Modell Spezifikation Lieferung
CM1000HG-130XA 6,5 KV/1.000 A 1in1, IGBT-Modul Montag, 30. November 2015

Hinweis: Die Pressemitteilungen sind zum Zeitpunkt ihrer Veröffentlichung korrekt. Sie können jedoch ohne vorherige Ankündigung geändert werden.