ZUR SOFORTIGEN VERÖFFENTLICHUNG Nr. 3085

Bei diesem Text handelt es sich um eine Übersetzung der offiziellen englischen Version dieser Pressemitteilung, die nur als Hilfestellung und Referenz bereitgestellt wird. Ausführliche und/oder spezifische Informationen entnehmen Sie bitte der englischen Originalversion. Im Falle von Abweichungen hat der Inhalt der englischen Originalversion Vorrang.

Mitsubishi Electric führt Siliciumcarbid-Schottky-Dioden ein

Geringerer Energieverlust und Platzersparnis bei Stromanlagen

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TOKIO, 1. März 2017 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) hat heute die sofortige Einführung einer Siliciumcarbid-Schottky-Diode (SiC-SBD) angekündigt, in der eine Schottky-Diodenstruktur zum Einsatz kommt, um den Energieverlust und die physische Größe von Stromanlagen für Klimatechnik-, Photovoltaik- und andere Systeme zu verringern.

SiC-SBD (BD20060T)

SiC-SBD (BD20060S)

Produktmerkmale

1)
Siliciumcarbid trägt zu niedrigerem Stromverbrauch und kompakter Bauform bei
– Die verbesserte Energieumwandlung führt zu einem um circa 21 % niedrigeren Energieverlust im Vergleich zu Produkten mit Silicium (Si)
– Hochfrequenzschaltungen und die Verkleinerung von Peripheriekomponenten wie Reaktoren werden möglich
2)
Bessere Zuverlässigkeit dank der Schottky-Diodenstruktur
– Kombination der Schottky-Diode mit p-n-Übergang
– Die Schottky-Diodenstruktur hilft, hohe Zuverlässigkeit zu erreichen

Zeitplan für den Verkauf

Serie Modell Gehäuse Spezifikation Lieferung
SiC-SBD BD20060T TO-220 20 A/600 V 01. Mrz. 2017
BD20060S TO-247 01. Sep. 2017

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